早期采用高级 NA 工具可以使英特尔在制定高级 NA 制造行业标准方面具有竞争优势（Anandtech，2024）。 此外，ASML还宣布，到2027年至2028年，将能够每年生产20个先进的NA EUV光刻工具，这表明其他行业合作伙伴正准备在未来几年采用这些先进的系统，其中英特尔处于领先地位。 2024 年大多数 ASML 机器（雅虎新闻，2023 年）。 $10B 包括用于极紫外光刻中心开发 在纽约，州长 Kathy Hochul 宣布在奥尔巴尼纳米技术综合体创建国家 EUV 中心，这是 IBM 与纽约州以及其他行业和学术合作伙伴之间的合作。
该中心将成为北美第一个拥有 EUV 高 NA 系统的公有 阿尔巴尼亚企业电子邮件列表 研发中心，位于一栋名为 NanoFab Reflection 的新建筑中。纽约州及其合作伙伴为此投资了 100 亿美元，旨在推动美国的半导体研究和生产并创造大量就业机会。 奥尔巴尼纳米技术公司的高 NA EUV 系统将类似于未来制造设施中使用的高 NA EUV 工具，确保在那里开发的工艺和设计可以转移到未来的电子设备（IBM 研究博客，2024）。
与此同时，imec 和三井化学宣布建立战略合作伙伴关系，将下一代 EUV 光刻系统的关键组件商业化。他们专注于由碳纳米管 (CNT) 制成的 EUV 颗粒，这种颗粒以其强大的机械和热性能而闻名。 基于 CNT 的颗粒拥有超过 94% 的 EUV 光透射率，并且可以承受超过 1000 W 的 EUV 功率水平。随着行业朝着超过 600 W 的光刻光源发展，从而实现更高质量的纳米级，这一发展至关重要（Optica-OPN，2024）。